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三极管 [相关解释]
1.由三个电极组成的一种电子元件。有电子管三极管和半导体三极管两种。电子管三极管由屏极﹑栅极﹑阴极组成;半导体三极管由集电极﹑基极﹑发射极组成。
内存储器 [相关解释]
又称主存储器”,简称内存”、主存”。在主机内部,中央处理机能直接操作的存储器。主要有半导体存储器和磁芯存储器。通常用来存放有关程序、原始数据和运算结果等。其存取速度的快慢直接影响到计算机的运算速度。
半导体 [相关解释]
导电能力介于导体和绝缘体之间的物质,如锗、硅、硒和很多氧化物、硫化物等。这种物质具有单向导电等特性。
半导体三极管 [相关解释]
又称晶体三极管”或晶体管”。具有三个电极,能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的pn结,组成一个pnp(或npn)结构。中间的n区(或p区)叫基区,两边的区域叫发射区和集电区,这三部分各有一条电极引线,分别叫基极b、发射极e和集电极c。
半导体二极管 [相关解释]
又称晶体二极管”。具有单向导电性的二端器件。按材料分有锗、硅或砷化镓;按结构分有点接触、pn结、pin、肖特基势垒、异质结;按原理分有隧道、变容、雪崩和阶跃恢复等。主要用于检波、混频、参量放大、开关、稳压、整流等。光通信发展后,出现发光、光电、雪崩光电、pin光电、半导体激光等二极管。
半导体光(热)电器件 [相关解释]
利用半导体的光电效应(或热电效应)制成的器件。半导体光电器件如光导管、光电池、光电二极管、光电晶体管等;半导体热电器件如热敏电阻、温差发电器和温差电致冷器等。
半导体化学 [相关解释]
研究半导体材料的合成、分析、性能与结构间关系等的一门学科。广泛应用于化学、物理学以及工农业生产中。
半导体整流器 [相关解释]
用硒、氧化亚铜、锗、硅等半导体材料制成的整流器。氧化亚铜整流器常用于电流很小的场合,如测量仪表中;硒、锗、硅整流器用于电流较大的场合;大电流的场合则用可控硅整流器。
固体物理学 [相关解释]
研究固体的结构及其物理性质的物理学分支学科。主要研究晶体结构、晶体中粒子的运动规律、金属、半导体、电介质、超导体、液晶等。
太阳电池 [相关解释]
1.用半导体硅﹑硒等材料将太阳的光能变成电能的器件。具有可靠性高﹐寿命长﹐转换效率高等优点﹐可做人造卫星﹑航标灯﹑晶体管收音机等的电源。
太阳能电池 [相关解释]
又称光电池”。把太阳辐射能直接转化为电能的装置。常用的有硒、硅、硫化银等太阳能电池。当阳光射到电池的pn结时,半导体材料吸收光子能量产生电子空穴对,在pn结电场作用下电子和空穴分别移到n区和p区,于是在pn结两侧产生电势差,若将pn结与外电路接通,电路中就会有电流通过。广泛应用于人造卫星、太空实验室等。
拾音器 [相关解释]
俗称电唱头”。将唱片上槽轨所录制的声音复原为电信号的换能器件。按工作原理分电磁式、压电式、电容式、光电式和半导体式等;按唱片声道分单声道和立体声两种。对于光盘,则采用不接触式、激光发射来检测信号。
晶体二极管 [相关解释]
即半导体二极管”(56页)。
氢氟酸 [相关解释]
氟化氢气体的水溶液。无色,发烟,易流动。有刺激性气味和强烈的腐蚀性。剧毒。能腐蚀玻璃和硅酸盐。可溶解除金、铂以外的大部分金属。用水吸收氟化氢气体而得。常用于蚀刻玻璃和陶瓷,是半导体材料(硅)、金属(锗)的清洗剂和抛光剂,还是制取含氟树脂的原料之一。
氧化 [相关解释]
①又称氧化作用”。指物质和氧化合的反应。即在氧化还原反应中失去电子的作用。如氧化铜和氢的反应中cuo+h2cu+h2o氧化铜还原为铜,氢则被氧化为水。②在半导体晶片表面制备氧化层的工艺。
电子琴 [相关解释]
键盘乐器,采用半导体集成电路,对乐音信号进行放大,通过扬声器产生音响。有多种类型。
空穴 [相关解释]
描述半导体导电特性的一个概念。半导体的一种载流子。当晶体原子原来排满电子的最外层中,有一个电子挣脱原子核束缚成为自由电子时在原来位置上出现的空位。空穴相当于一个电量为e的等效正电荷,所以含有空穴的半导体晶体具有一定的导电性。
自由电子 [相关解释]
金属导体中的自由电荷。金属原子的外层电子(价电子)脱离原子核束缚后而成为自由电子。铜的自由电子密度为85×1028米-3。各种金属的自由电子密度有相同的数量级。n型半导体中的多数载流子是自由电子。
载流子 [相关解释]
在电场作用下能作定向运动的带电粒子。如半导体中的自由电子与空穴,导体中的自由电子,电解液中的正、负离子,放电气体中的离子等。
金属氧化物半导体集成电路 [相关解释]
简称mos集成电路”。由金属、氧化物和半导体场效应管组成的集成电路。工艺简单、输入阻抗高、集成度高、功耗低,但工作频率低。主要用于数字电路。分p沟道mos集成电路和n沟道mos集成电路两种。将两者互补构成互补型集成电路(cmos)。应用广泛。
霍耳效应 [相关解释]
将通以电流的金属或半导体样品放在垂直于电流方向的磁场中,在样品的既垂直于电流方向又垂直于磁场方向的两侧面间产生电势差的现象。相同条件下半导体的霍耳效应比金属显著。
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